9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF25NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF25NM60N参考价格为5.682美元。STMicroelectronics STF25NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP。您可以下载STF25NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF25N80K5是MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP，包括SuperMESH5？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为40W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为1600pF@100V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为19.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为260 mOhm@19.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为40 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极源极电压为30 V，并且Id连续漏极电流为19.5A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极源极导通电阻为260mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为40nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的STF25N60M2-EP，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为15 ns，以及61 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为10ns，器件的漏极-源极电阻为188mOhms，Qg栅极电荷为29nC，Pd功耗为30W，封装外壳为TO-220FP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为18 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF25NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP。STF25NM50N可提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 22A TO 220FP、N沟道500V 22A（Tc）40W（Tc）通孔TO-220FP。
