IRF540

Name: IRF540
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7153252-IRF540
Price: 45.340554 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc）最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压标 (Vdss) 100伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
安装类别通孔
包装/外壳至220-3
漏源电流 (Id) @ 温度 22A（Tc）
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
供应商设备包装 TO-220
最大功耗 85W (Tc)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 870 pF @ 25 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 41 nC @ 10 V
部件状态过时的
导通电阻 Rds(ON) 77毫欧姆 @ 11A, 10V

IRF540 产品详情

描述：HEXFET功率MOSFET

包装：TO-220AB型

描述

国际整流器公司的先进HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势，加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计者提供了一种在各种应用中使用的极其高效和可靠的器件。

TO-220封装是所有商用工业应用中功耗最高的封装
大约50瓦。TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。

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型号	制造商	描述	价格
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IRFU7746PBF		TRENCH 40<-<100V	¥3.59458
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IRFZ24NPBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc）最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥5.93918
IRF3710PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥14.19608
IRFB4228PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 150伏漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥30.63747
IRFZ34NPBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc）最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.89476

IRF540所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF540 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF540价格参考￥45.340554，你可以下载 IRF540中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF540规格参数、现货库存、封装信息等信息！