9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP25NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP25NM60N参考价格$5.274。STMicroelectronics STP25NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB。您可以下载STP25NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP25N60M2-EP是MOSFET，包括0.011640 oz单位重量，设计用于通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于to-220-3，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单配置，该设备还可用作150 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为16ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，Id连续漏极电流为18A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-源极电阻为188mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为61ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为29nC，沟道模式为增强。
STP25N80K5是MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供单位重量功能，如0.011640 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh K5，器件提供260 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有40 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为250 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为19.5 A，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP25NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 22A TO-220。STP25NM50N以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 22A TO-220、N沟道500V 22A（Tc）160W（Tc）通孔TO-220AB、Trans MOSFET N-CH2500V 22A 3引脚（3+Tab）TO-220管。
