9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP45NE06，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP45NE06参考价格$5.298。STMicroelectronics STP45NE06封装/规格：MOSFET N-CH 60V 45A TO220。您可以下载STP45NE06英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP45N65M5是MOSFET N-CH 650V 35A TO220，包括MDmesh？V系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为210W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为650V，输入电容Cis-Vds为3375pF@100V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为78mOhm@19.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为91nC@10V，Pd功耗为208 W，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，漏极-漏极电阻为78 mOhm，晶体管极性为N沟道。
带用户指南的STP45N60DM2AG，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供0.011640 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为29 ns，以及85 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在27纳秒上升时间内提供，器件具有93 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为56 nC，Pd功耗为250 W，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为34 A，下降时间为6 ns，通道模式为增强型。
STP45N40DM2AG（带有ST.制造的电路图）是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持“MOSFET汽车级N沟道400 V、N沟道400V 38A（Tc）250W（Tc）通孔TO-220、Trans MOSFET N-CH 400V 38A汽车级3引脚（3+Tab）TO-220管、MOSFET汽车型N沟道400V、典型值0.058欧姆、TO-220封装中的39 A MDmesh DM2功率MOSFET”。
