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APT34F100L是MOSFET N-CH 1000V 35A TO264，包括0.373904 oz单位重量，它们设计为通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于to-264-3，提供Si等技术特性，配置设计为单级工作，以及1.135 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为38 ns，器件的上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为35 a，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为39ns，Qg栅极电荷为305nC，正向跨导最小值为39S，沟道模式为增强。
APT34F60B是MOSFET N-CH 600V 34A TO-247，包括4 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为43 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为43 ns，器件的漏极-源极电阻为190 mOhms，Qg栅极电荷为165 nC，Pd功耗为624W，封装外壳为TO-247，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为36A，且正向跨导Min为32S，且下降时间为34ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
APT33N90JCU3是分立半导体模块功率模块-Coolmos，包括25 ns的下降时间，它们设计用于33 a Id的连续漏极电流，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如ISOTOP-4，Pd功耗设计用于290 W，以及120 mOhms Rds漏极源电阻，该器件也可以用作20ns上升时间。此外，晶体管极性为N沟道，该器件为开关二极管型，该器件具有400ns的典型关断延迟时间，典型接通延迟时间为70ns，单位重量为1oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vf正向电压为3.1V，Vgs栅极-源极电压为20V，第Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Vr反向电压为1200V。
APT34F100B2是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
