9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW21NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW21NM60N参考价格$8.804。STMicroelectronics STW21NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3。您可以下载STW21NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW21N90K5是MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该器件还可用作250 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为18.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为900 V，Rds漏极源极电阻为299 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为43 nC。
STW21NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 18A TO-247。STW21NM5 0N以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 18A TO-247、N沟道500V 18A（Tc）140W（Tc）通孔TO-247-3。
STW21NM60，带有ST制造的电路图。STW21NM6 0采用TO-247封装，是FET的一部分-单个。
