该功率MOSFET被设计为在雪崩和换向模式下承受高能量。这些器件专为电源、转换器和电动机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥式电路,并为防止意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
特色
•指定雪崩能量
•高温下规定的IDSS和VDS(开)
•提供无铅包装
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该功率MOSFET被设计为在雪崩和换向模式下承受高能量。这些器件专为电源、转换器和电动机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥式电路,并为防止意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
•指定雪崩能量
•高温下规定的IDSS和VDS(开)
•提供无铅包装
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