久芯网

MTD2955VT4

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥66.04076
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥66.04
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大功耗 60W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 770 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 230毫欧姆@6A,10V

MTD2955VT4 产品详情

该功率MOSFET被设计为在雪崩和换向模式下承受高能量。这些器件专为电源、转换器和电动机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥式电路,并为防止意外电压瞬变提供额外的安全裕度。

特色


•指定雪崩能量
•高温下规定的IDSS和VDS(开)
•提供无铅包装

MTD2955VT4所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MTD2955VT4 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MTD2955VT4价格参考¥66.040762,你可以下载 MTD2955VT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MTD2955VT4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部