9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW13NB60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW13NB60价格参考1.376美元。STMicroelectronics STW13NB60封装/规格：MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3。您可以下载STW13NB60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW13N80K5带有引脚细节，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-247-3以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置是单一的，该器件提供190 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为29nC，沟道模式为增强。
STW13N95K3是MOSFET N-Ch 950V SuperMESH3齐纳保护10A，包括第4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于950 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为N沟道MDmesh，器件提供680 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有51 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为190 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为10 A，配置为单一。
STW13N60Z，带有ST制造的电路图。STW13N50Z采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
