9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFIB7N50LPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFIB7N50LPBF参考价格为3.48美元。Vishay Siliconix IRFIB7N50LPBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3。您可以下载IRFIB7N50LPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFIB6N60APBF是MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供60 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为5.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为750mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
IRFIB7N50APBF是MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为32 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为35ns，器件的漏极电阻为520mOhms，Pd功耗为60W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.6 A，下降时间为28 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFIB7N50A是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP。IRFIB7N7N50A可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 6.6A TO 220FP、N通道500V 6.6A（Tc）60W（Tc。
IRFIB7N50L是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP。IRFIB7N7N50L可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 6.8A TO 220FP。
