9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STH15NB50FI，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STH15NB50FI价格参考1.628美元。STMicroelectronics STH15NB50FI封装/规格：MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218。您可以下载STH15NB50FI英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STH150N10F7-2，带引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为57 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为110 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为117nC，沟道模式为增强。
STH15NA50FI带有ST制造的用户指南。STH15NA 50FI采用TO3P封装，是IC芯片的一部分。
STH15NB50F，带有ST制造的电路图。STH15NB 50F采用ISOWATT-218-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218。
