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PSMN020-30MLCX具有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表说明中显示了用于LFPAK33-4的封装盒，该LFPAK33提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为33 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.1 ns，上升时间为7.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为31.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.62V，Rds漏极-源极电阻为20.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.1ns，典型接通延迟时间为6.1ns，Qg栅极电荷为9.5nC，沟道模式为增强。
PSMN022-30PL，127是MOSFET N-CH 30V TO220AB，包括2.15V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与to-220AB供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于22 mOhm@5A，10V，提供功率最大功能，如41W，包装设计为在管中工作，以及to-220-3封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供447pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有9nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tc）。
PSMN022-30BL，带有NXP/PH制造的电路图。PSMN022-30BL在D2PAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN022-30PL是NXP/PH制造的MOSFET N-CH 30V TO220AB。PSMN022-30PL在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V TO220AB。
