9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW11NB80，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW11NB80参考价格$4.78。STMicroelectronics STW11NB80封装/规格：MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3。您可以下载STW11NB80英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW10NK60Z是MOSFET N-CH 600V 10A TO-247，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该器件也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有156W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为750mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为50nC，正向跨导最小值为7.8S，沟道模式为增强。
STW10NK80Z是MOSFET N-CH 800V 9A TO-247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件具有20 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为900 mOhms，Qg栅极电荷为72 nC，Pd功耗为160 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为9 A，正向跨导最小值为9.6 S，下降时间为17 ns，配置为单一，信道模式为增强。
STW11N80，带有ST制造的电路图。STW11N80TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
