9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTQS6463R2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTQS6463R2参考价格0.40000美元。onsemi NTQS6463R2封装/规格：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP。您可以下载NTQS6463R2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTQD6968R2是MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP，它们设计用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供900pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为6.6A，最大Id Vgs上的Rds为22mOhm@6.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@4.5V。
NTQD6968NR2是MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于22 mOhm@7A，4.5V，提供功率最大功能，如1.39W，包装设计用于磁带和卷轴（TR），除了8-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽）封装外壳外，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供630pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有17nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为6.2A。
NTQD6968NR2G是MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP，包括6.2A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在17nC@4.5V下工作，除了630pF@16V输入电容Cis-Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用8-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽）包装盒，该设备具有包装带和卷轴（TR），最大功率为1.39W，最大Id Vgs的Rds为22mOhm@7A，4.5V，供应商设备包装为8-TSSOP，Vgs最大Id为1.2V@250μa。
NTQD6968N是MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP，包括管封装，它们设计用于表面安装安装型，FET功能如数据表注释所示，用于逻辑电平门，提供封装外壳功能，如8-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽），供应商器件封装设计用于8-TSSOP，以及630pF@16V输入电容Ciss Vds，该器件也可以用作6.2A电流连续漏极Id 25°C，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件提供22 mOhm@7A，4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有20V漏极到源极电压Vdss，FET类型为2 N沟道（双），栅极电荷Qg Vgs为17nC@4.5V，功率最大值为1.39W，Vgs th Max Id为1.2V@250μa。
