9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT30M61SLLG/TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APT30M61SLLG/TR参考价格14.80500美元。微芯片技术APT30M61SLLG/TR封装/规格:MOSFET N-CH 300V 54A D3PAK。您可以下载APT30M61SLLG/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APT30GF60JU3是IGBT 600V 58A 192W SOT227,包括IGBT硅模块产品,它们设计用于1.058219盎司的单位重量,安装方式如数据表注释所示,用于螺丝,提供ISOTOP等商标特征,包装箱设计用于SOT-227-4、miniBLOC以及底盘安装安装类型,该设备也可以用作ISOTOPR供应商设备包。此外,输入是标准的,该设备以单配置提供,该设备最大功率为192W,集电器Ic最大值为58A,集电器发射极击穿最大值为600V,集电器截止最大值为40μa,IGBT类型为NPT,最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V,30A,输入电容Cies Vce为1.85nF@25V,NTC热敏电阻为否,Pd功耗为192 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V,集电极/发射极饱和电压为2.1 V,25 C时的连续集电极电流为58 A,栅极-发射极漏电流为100 nA,最大栅极-发射极电压为+/-20V。
APT30GF60JU2是IGBT 600V 58A 192W SOT227,包括600V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在2.5V@15V、30A Vce on Max Vge Ic下工作,单位重量如数据表注释所示,用于1.058219盎司,提供ISOTOP等商品名功能,供应商设备包设计用于SOT-227,以及IGBT硅模块产品,该设备也可以用作192W最大功率。此外,Pd功耗为192W,该设备采用ISOTOP封装盒,该设备具有一个NTC热敏电阻,安装方式为螺钉,安装类型为底盘安装,其最低工作温度范围为-55℃,最高工作温度范围+150℃,最大栅极发射极电压为+/-20 V,输入电容Cies Vce为1.85nF@25V,输入为标准,IGBT类型为NPT,栅极发射极泄漏电流为100 nA,集流器Ic最大值为58A,集流管截止电流最大值为40μA,25 C时的连续集流器电流为58A,并且集电极-发射极电压VCEO Max为600V,集电极-发射器饱和电压为2.1V。
APT30GN60BDQ2G是IGBT 600V 63A 203W TO247,包括63A集流器Ic Max,设计用于90A集流脉冲Icm,栅极电荷如数据表注释所示,用于165nC,提供IGBT类型的功能,如沟槽场阻,输入类型设计用于标准,以及通孔安装类型,该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外,包装为管式,该设备以203W最大功率提供,该设备具有供应商设备包的TO-247[B],开关能量为525μJ(开)、700μJ(关),25°C时的Td为12ns/155ns,测试条件为400V、30A、4.3 Ohm、15V,最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V、30A,集电极-发射极击穿最大值为600V。
APT30GN60BG是IGBT 600V 63A 203W TO247,包括管封装,它们设计为与沟槽式现场停止IGBT类型一起工作,封装盒如数据表注释所示,用于to-247-3,提供to-247[B]等供应商设备封装功能,安装类型设计为在通孔中工作,以及标准输入类型,该器件也可以用作90A集流器脉冲Icm。此外,集电器Ic最大值为63A,该设备提供600V电压集电器-发射极击穿最大值,该设备具有525μJ(开)和700μJ(关)的开关能量,测试条件为400V、30A、4.3欧姆、15V,最大功率为203W,栅极电荷为165nC,25°C时的Td为12ns/155ns,最大Vge Ic的Vce为1.9V@15V、30A。