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NTHD4502NT1G是MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET，包括NTHD4502N系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计为在8-SMD、扁平引线以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备提供2信道数信道，该设备具有ChipFET？供应商设备包，配置为双双漏极，FET类型为2 N沟道（双），最大功率为640mW，晶体管类型为2 N-沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis Vds为140pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.2A，最大Id Vgs为85mOhm@2.9A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为7nC@10V，Pd功耗为1.13 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12.6 ns 5.4ns，上升时间为12.6ns 5.4ns；Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.6ns 14.9ns，典型接通延迟时间为7.8ns 6.5ns，Qg栅极电荷为3.6nC，正向跨导最小值为3.8S，沟道模式为增强型。
NTHD4508NT1G是MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET，包括1.2V@250μ，该器件也可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用硅技术，该器件具有ChipFET？供应商器件封装，系列为NTHD4508N，上升时间为15 ns，Rds On Max Id Vgs为75 mOhm@3.1A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为80 mOhm，功率最大值为1.13W，Pd功耗为1.13 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SMD，扁平引线，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为180pF@10V，Id连续漏极电流为4.1 A，栅极电荷Qg Vgs为4nC@4.5V，正向跨导最小值为6 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为15 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3A，配置为双双漏极，通道模式为增强。
NTHD4508NT1，带有ON公司制造的电路图。NTHD4508NT1采用1206-8封装，是FET阵列的一部分。
