9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB11NM60-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB11NM60-1参考价格$1.944。STMicroelectronics STB11NM60-1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK。您可以下载STB11NM60-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB11NK40ZT4是MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK，包括SuperMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为110W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为400V，输入电容Ciss Vds为930pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为9A（Tc），最大Id Vgs的Rds为550 mOhm@4.5A，10V，Vgs的最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为32nC@10V，Pd功耗为110 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为20ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型导通延迟时间为20s，正向跨导最小值为5.8S，信道模式是增强。
STB11NK50ZT4是MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为41 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为STB11NK50Z系列，该器件的上升时间为18 ns，漏极-源极电阻Rds为480 mOhms，Qg栅极电荷为49 nC，Pd功耗为125 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为10 A，正向跨导最小值为77 S，下降时间为15 ns，配置为单一，信道模式为增强。
STB11NM60，带有ST制造的电路图。STB11NM60可在TO262封装中获得，是FET的一部分-单。
