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STB15N80K5是MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm典型型MDmesh K5 14A，包括MDmesh K6系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有190 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为17.6 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为14 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为300mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为32nC。
STB15N65M5是MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及MDmesh M5系列，该器件也可以用作340毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为85 W，该器件采用卷筒包装，该器件具有TO-252-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为11 a。
带电路图的STB15-BLANK-6，请联系技术支持团队了解更多STB15-BLANK-6信息。
STB15NK50Z-1，带有STB15制造的EDA/CAD模型。STB15NK 50Z-1采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
