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STB160N75F3是MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK，包括N沟道STripFET系列，它们设计为与卷筒包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在to-252-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有330 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为65 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为120 a，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds导通漏极-漏极电阻为4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为22ns，沟道模式为增强型。
STB15NK50Z-1带有ST制造的用户指南。STB15NK 50Z-1采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
STB15NM60ND是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK。STB15NM60ND可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 14A D1PAK，N沟道600V 14A（Tc）125W（Tc）表面安装D2PAK，跨接MOSFET N-CH2600V 14A 3-Pin（2+Tab）D2PAK T/R，MOSFET N沟道600V，14A FDMesh II。
STB15NM65N是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK。STB15NM65N有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 15.5B D2PAK，N沟道650V 12A（Tc）150W（Tc。
