9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB190NF04T4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB190NF04T4参考价格为0.696美元。STMicroelectronics STB190NF04T4封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK。您可以下载STB190NF04T4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STB18NM80是MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK，包括MDmesh？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件在D2PAK供应商器件包中提供，该器件具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为190W，漏极到源极电压Vdss为800V，输入电容Ciss Vds为2070pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为17A（Tc），Rds On Max Id Vgs为295 mOhm@8.5A，10V，Vgs th Max Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为70nC@10V，Pd功耗为190 W，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Rds On Drain Source电阻为295 m欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为70 nC。
带有用户指南的STB18NM60ND，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，具有0.13932 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为55 ns，以及13 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道MDmesh系列，上升时间为15.5ns，Rds漏极-源极电阻为290mOhm，Qg栅极电荷为34nC，Pd功耗为130W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13 A，下降时间为18 ns，配置为单一。
STB18NF30是MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK，包括18A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了to-252-3中使用的封装情况，该to-252-3提供了卷盘、Pd功耗等封装功能，设计为工作在150W，以及44nC Qg栅极电荷，该器件也可以用作180mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，该系列是N沟道STripFET，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为330 V。
STB18NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK。STB18NM60N可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 13A D2 Pak，N沟道600V 13A（Tc）110W（Tc。
