MPF990

规格参数

• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 安装类别 通孔
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@1毫安
• 最大功耗 1W（Ta）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 2A（Ta）
• 漏源电压标 (Vdss) 90 V
• 部件状态 过时的
• 供应商设备包装 TO-92 (TO-226)
• 包装/外壳 TO-226-3、TO-92-3长机身
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 70 pF @ 25 V
• 导通电阻 Rds(ON) 2欧姆@1A，10V