9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF510STRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF510STRR参考价格为7.638美元。Vishay Siliconix IRF510STRR封装/规格：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK。您可以下载IRF510STRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF510SPBF是MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK，包括管封装，它们设计用于IRF510PBF零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.7W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9.4 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为540mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6.9ns，沟道模式为增强型。
IRF510STRLPBF是MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为15 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为16ns，器件的漏极-源极电阻为540mOhms，Pd功耗为3.7W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为5.6 A，下降时间为9.4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF510STRL是由VISHAY/SILICONIX制造的MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK。IRF510STRL可采用TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK、N沟道100V 5.6B（Tc）3.7W（Ta）、43W（Tc）表面安装D2PAK，Trans MOSFET N-CH100V 5.6A3-Pin（2+接线片）D2PAK T/R。
