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STB22NM60N是MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供125 W Pd功耗，该器件具有10 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Rds漏极源极电阻为220 mΩ，晶体管极性为N沟道。
STB21NM60ND是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK。STB21NM6 0ND可用于D2PAK封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 17A D1PAK、N沟道600V 17A（Tc）140W（Tc）表面安装D2PAK、跨接MOSFET N-CH2600V 17A 3引脚（2+Tab）D2PAK T/R、MOSFET N沟道600V、17A FDMesh II。
STB22NE10LT4，带有ST制造的电路图。STB22NE1 0LT4采用SOT-263封装，是IC芯片的一部分。
STB22NK60ZT4带有ST制造的EDA/CAD模型。STB22NK50ZT4采用SOT263封装，是IC芯片的一部分。
