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STB60NF10T4是MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK，包括STB60RF10系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为56 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为23mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强型。
STB60NH02是由ST制造的MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK。STB60NH02有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH24V 60A D1PAK。
STB60NH02L是由ST制造的MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK。STB60NH02L有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH24V 60A D2 Pak。
