特色
- 低rDS（开启）提供更高的效率并延长电池寿命
- 小型SOT-23表面安装封装节省了电路板空间
- 提供无铅包装
应用
- DC−DC转换器
- 电源管理
（图片：引出线）
MMBF0201NLT1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥24.30717
-
数量:
- +
- 总计: ¥24.31
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 300毫安 (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@300毫安，10伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 45 pF @ 5 V
MMBF0201NLT1 产品详情
这些微型表面贴装MOSFET低RDS（on）确保了最小的功率损耗和节约能源，使这些器件非常适合用于小型电源管理电路。典型应用是直流-直流转换器、便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA卡、蜂窝和无绳电话。
MMBF0201NLT1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MMB70-12GH50-1N-V1 | 倍加福 (Pepperl+Fuchs) | 种类: 转换 频率: 1千赫 电源电压: 8.2V 包装/外壳: 气缸，螺纹-M12 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥1,618.42601 |
 | MMBT4403WT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS SS GP PNP SS 40V SC70 | ¥0.14486 |
 | MMBD6050LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCH 70V SOT23 | ¥0.28972 |
 | MMBD6050LT3 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCHING 70V SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBT2222ATT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 75V 600MA SC-75 | ¥0.14486 |
| MMBT3416LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 25V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMBT4124LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 20V 200MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBT4401LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 40V 600MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBZ5239ELT1G | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 9.1V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMBD4148,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SWITCH 75V 0.215A TO236AB | ¥0.14486 |
MMBF0201NLT1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，MMBF0201NLT1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBF0201NLT1价格参考￥24.307172，你可以下载 MMBF0201NLT1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBF0201NLT1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
