9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT56M60B2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT56M60B2参考价格为15.23500美元。Microchip Technology APT56M60B2封装/规格：MOSFET N-CH 600V 60A TO247。您可以下载APT56M60B2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT56M50L是MOSFET N-CH 500V 56A TO-264，包括卷筒包装，它们设计为以0.373904盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 8等商标功能，包装盒设计为在TO-264-3中工作，以及Si技术，该设备还可以用作780 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为33 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为56 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为85mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为38ns，Qg栅极电荷为220nC，正向跨导最小值为43S，沟道模式为增强。
APT56F60L是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，典型开启延迟时间设计为65 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为75ns，器件的漏极-源极电阻为110mOhms，Qg栅极电荷为280nC，Pd功耗为1.04kW，封装外壳为TO-264，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，且Id连续漏极电流为60A，且正向跨导Min为55S，且下降时间为60ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
APT56M50B2是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括增强通道模式，它们设计为在33 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了43 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流功能，如56 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为T-Max-3，器件采用卷筒封装，器件具有780W的Pd功耗，Qg栅极电荷为220nC，Rds漏极-源极电阻为85mOhms，上升时间为45ns，技术为Si，商品名为Power MOS 8，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型的导通延迟时间为38ns，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V，Vgsth栅极-源阈值电压为4V。
