RFP70N03、RF1S70N03和RF1S70NO3SM N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,从而优化了硅的利用率,从而获得了优异的性能。它们被设计用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和双极晶体管的发射极开关等应用。这些晶体管可以直接从集成电路操作。
特征
1.70A,30V
2.rDS(开)=0.010Ω
3.温度补偿PSPICE模型
4.峰值电流与脉冲宽度曲线
5.UIS评级曲线(单脉冲)
6.+175°C工作温度