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RFP70N03

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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  • 单价: ¥99.99548
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥100.00
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3300 pF @ 25 V
  • 部件状态 过时的
  • 导通电阻 Rds(ON) 10毫欧姆@70A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 260 nC@20 V

RFP70N03 产品详情

RFP70N03、RF1S70N03和RF1S70NO3SM N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,从而优化了硅的利用率,从而获得了优异的性能。它们被设计用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和双极晶体管的发射极开关等应用。这些晶体管可以直接从集成电路操作。

特征

1.70A,30V
2.rDS(开)=0.010Ω
3.温度补偿PSPICE模型
4.峰值电流与脉冲宽度曲线
5.UIS评级曲线(单脉冲)
6.+175°C工作温度

RFP70N03所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RFP70N03 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RFP70N03价格参考¥99.995477,你可以下载 RFP70N03中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RFP70N03规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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