9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT75F50L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT75F50L参考价格为15.35600美元。Microchip Technology APT75F50L封装/规格：MOSFET N-CH 500V 75A TO264。您可以下载APT75F50L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT75DQ120BG是DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式功能，工作温度范围为-55 C至+175 C，以及to-247-2包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247[B]，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1200V，电压正向Vf Max If为3.1V@175A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为75A，反向恢复时间trr为325ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为3.48 V，Vr反向电压为1200 V，Ir反向电流为100 uA，If正向电流为75 A，最大浪涌电流为540 A，恢复时间为325 ns。
APT75DQ60BG是DIODE GEN PURP 600V 75A TO247，包括600 V Vr反向电压，其设计为在75A电压正向Vf Max下工作2.5V。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，其提供2 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.229281盎司，以及to-247[B]供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为31ns，该设备提供29 ns恢复时间，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管，包装箱为TO-247-2，其工作温度范围为-55℃至+175℃，工作温度结范围为-55℃至175℃，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为600 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为75 A，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为25μA@600V，电流平均整流Io为75 A。
APT75F50B2是MOSFET N-CH 500V 75A TO-247，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，以39纳秒为单位，提供正向跨导最小特性，如55 S，Id连续漏极电流设计为在75 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，该器件采用T-Max封装盒，该器件具有1.04 kW的Pd功耗，Qg栅极电荷为290 nC，Rds漏极-源极电阻为75 mOhm，上升时间为55 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为45ns，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，第Vgs栅极源极阈值电压为4V。
