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SI2304DDS-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2304DS-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.7W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为235pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为3.3A（Ta），3.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@3.2A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6.7nC@10V，Pd功耗为1.7 W，Id连续漏极电流为3.6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为49mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为4.5nC。
SI2304DDS，带有VISHAY制造的用户指南。SI2304DDS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
SI2304DDS-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI2304DDS-T1-E3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
SI2304DS，带有PHI制造的EDA/CAD模型。SI2304DS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
