9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT75F50B2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT75F50B2参考价格15.60900美元。微芯片技术APT75F50B2封装/规格：MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX。您可以下载APT75F50B2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT75DQ100BG是DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247，包括超快速回收整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式功能，其工作温度范围为-55 C至+175 C，以及to-247-2包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247[B]，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，电压正向Vf Max If为3V@75A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为75A，反向恢复时间trr为250ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为2.5 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为100 uA，If正向电流为75 A，最大浪涌电流为540 A，恢复时间为33 ns。
APT75DQ120BG是DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247，包括1200 V Vr反向电压，设计用于在3.1V@75A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1200V（1.2KV）的直流反向Vr Max，提供3.48 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.229281盎司，以及TO-247[B]供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复=20mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为325ns，该设备提供325 ns恢复时间，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管，包装箱为TO-247-2，其工作温度范围为-55℃至+175℃，工作温度结范围为-55℃至175℃，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为540 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为75 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100μA@1200V，电流平均整流Io为75A。
APT75DQ60BG是二极管GEN PURP 600V 75A TO247，包括75A电流平均整流Io，设计用于在25μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了正向电流功能，如75A，Ir反向电流设计用于25 uA，其最大工作温度范围为+175 C，该设备也可作为600 A最大浪涌电流使用，其最低工作温度范围为-55 C，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度结范围为-555°C~175°C，工作温度范围在-55 C至+175 C之间，包装箱为to-247-2，包装为管，产品为超快恢复整流器，恢复时间为29ns，反向恢复时间trr为31ns，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-247[B]，单位重量为0.229281oz，Vf正向电压为2V，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为2.5V@75A，Vr反向电压为600V。
