9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF640STRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF640STRL价格参考1.906美元。Vishay Siliconix IRF640STRL封装/规格：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK。您可以下载IRF640STRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF640SPBF是MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为36 ns，上升时间为51 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为18 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IRF640S带有IR制造的用户指南。IRF640S采用TO-252封装，是IC芯片的一部分，N沟道200V 18A（Tc）3.1W（Ta）、130W（Tc）表面安装D2PAK、Trans-MOSFET N-CH 200V 18B 3引脚（2+Tab）D2PAK。
IRF640STR带有由IR制造的电路图。IRF640STRTO-263封装，是FET的一部分-单个。
