9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF8NK85Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF8NK85Z参考价格$5.344。STMicroelectronics STF8NK85Z封装/规格：MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP。您可以下载STF8NK85Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF8NK100Z是MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为40W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为2180pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.85 Ohm@3.15A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为102nC@10V，Pd功耗为40W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为19ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为6.5A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为59ns，典型导通延迟时间为28ns，正向跨导最小值为7S，信道模式是增强。
STF8N80K5是MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，具有0.011640 oz等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的MDmesh K5，上升时间为14ns，Rds漏极-源极电阻为950mOhm，Qg栅极电荷为16.5nC，Pd功耗为25W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF8N65M5是MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了用于11 ns的下降时间，提供Id连续漏极电流特性，如7 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为25W，Qg栅极电荷为15nC，漏极电阻Rds为600mOhm，上升时间为14ns，系列为MDmesh M5，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为50ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为25V。
