9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT5010B2LLG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT5010B2LLG参考价格为16.06000美元。微芯片技术APT5010B2LLG封装/规格：MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX。您可以下载APT5010B2LLG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT4F120K是MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220，包括0.081130 oz单位重量，设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于TO-220中，提供Si等技术特性，配置设计用于单级，以及225 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为6.9 ns，器件的上升时间为4.4 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为4 a，Vds漏极-源极击穿电压为1.2 kV，Vgs第栅极-源极端电压为4 V，Rds漏极源极电阻为4.2欧姆，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为24ns，并且典型接通延迟时间为7.4ns，并且Qg栅极电荷为43nC，并且正向跨导Min为4.5S，并且沟道模式为增强。
APT4M120K是MOSFET N-CH 1200V 5A TO220，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1200 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为7.4 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8，该器件采用Si技术，器件的上升时间为4.4 ns，漏极-源极电阻Rds为3.12欧姆，Qg栅极电荷为43 nC，Pd功耗为225 W，封装外壳为TO-220-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5A，正向跨导最小值为4.5S，下降时间为6.9ns，信道模式为增强。
APT5010带有APT制造的电路图。APT5010可在模块包中获得，是模块的一部分。
