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BSP129H6327XTSA1是MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3，包括BSP129系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSP129 H6327 SP001058580，提供单位重量功能，如0.008826盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-223-4封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为4.1 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为350mA，Vds漏极-源极击穿电压为240V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为4.4ns，Qg栅极电荷为3.8nC，并且正向跨导Min为0.18S，并且信道模式为耗尽。
BSP129H6906XTSA1是MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3，包括-1.4 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于240 V，提供单位重量功能，如0.008826 oz，典型开启延迟时间设计为4.4 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联BSP129，上升时间为4.1ns，Rds漏极-源极电阻为6欧姆，Qg栅极电荷为3.8nC，Pd功耗为1.8W，部件别名为BSP129 H6906 SP001058586，封装为卷筒，封装盒为SOT-223-4，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为350 mA，正向跨导最小值为0.36 S，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为耗尽模式。
BSP130，带有NXP制造的电路图。BSP130在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
