9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP120NF04，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP120NF04价格参考1.492美元。STMicroelectronics STP120NF04封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB。您可以下载STP120NF04英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP120N4F6是MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有110 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为65nC，沟道模式为增强。
STP11NM80是MOSFET N-CH 800V 11A TO-220，包括5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与TO-220AB供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于MDmesh？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如400 mOhm@5.5A，10V，Power Max设计用于150W，以及管封装，该设备也可以用作to-220-3封装盒，其工作温度范围为-65°C ~ 150°C（TJ），该设备采用通孔安装型，该设备具有1630pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为43.6nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为800V，25°C的电流连续漏极Id为11A（Tc）。
STP120N10F4（带有ST制造的电路图）是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET N沟道100 V、MOSFET N-CH 100V TO-220、MOSFET N信道100 V、9 mOhm、120 A TO-220 STripFET（TM）、功率MOSFET”。
