AOT8N80和AOTF8N80是使用先进的高压MOSFET工艺制造的,该工艺旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开启)、Ciss和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可快速用于新的和现有的离线电源设计。
产品概要
虚拟数据集900V@150℃
ID(VGS=10V时)7.4A
RDS(开启)(VGS=10V时)<1.63Ω
起订量: 1000
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1000+ | 7.63618 | 7636.18900 |
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AOT8N80和AOTF8N80是使用先进的高压MOSFET工艺制造的,该工艺旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开启)、Ciss和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可快速用于新的和现有的离线电源设计。
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RDS(开启)(VGS=10V时)<1.63Ω
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