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特摩斯V™ 功率场效应晶体管
P沟道增强型硅栅
TMOS V是一种新技术，旨在实现约为标准MOSFET一半的导通电阻面积产品。这项新技术使50和60伏TMOS器件的当前电池密度增加了一倍多。正如我们的TMOS E–FET设计一样，TMOS V的设计能够承受雪崩和换向模式下的高能量。这些器件专为电源、转换器和电动机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥式电路，并为防止意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
TMOS V的新特性
•导通电阻面积产品约为采用新低压、低RDS（导通）技术的标准MOSFET的一半
•比E–FET前置处理器切换更快
TMOS V和TMOS E通用–FETS
•指定雪崩能量
•高温下规定的IDSS和VDS（开）
•TMOS V和TMOS E–FET的静态参数相同
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MTPD1346D-200 | 马克泰克 (Marktech) | 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 响应时长: 76ns 包装/外壳: TO-39-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥709.8042 |
 | MTPD1346D-300 | 马克泰克 (Marktech) | 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 响应时长: 102纳秒 包装/外壳: TO-39-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥826.84946 |
 | MTPD1346D-080 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥189.03969 |
 | MTPD3650D-1.4 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 365纳米 光谱范围: 245nm ~ 400nm 可视角度: 50° 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度 | ¥638.82378 |
 | MTPD1346-010 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥2,054.11175 |
 | MTPD1346-030 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥605.28152 |
 | MTPD1346-100 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥696.42517 |
 | MTPD1346D-100 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥69.79324 |
 | MTPD1346-150 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥122.06419 |
 | MTPD1500D-2.5 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 440nm 光谱范围: 150nm ~ 550nm 可视角度: 120° 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥48.24496 |
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