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MTP36N06V

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 库存: 9000
  • 单价: ¥23.23522
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    - +
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 最大功耗 90W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1700 pF @ 25 V
  • 部件状态 过时的
  • 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 16A, 10V

MTP36N06V 产品详情

TMOS功率FET 32安培60伏特RDS(开启)=0.04欧姆

N沟道增强型硅栅

TMOSV是一种新技术,旨在实现约为标准MOSFET一半的导通电阻面积产品。这项新技术使我们现有的细胞密度增加了一倍多
50和60伏TMOS器件。正如我们的TMOSE–FET设计一样,TMOSV被设计为在雪崩和换向模式下承受高能量。设计用于低压、高压
在电源、转换器和电动机控制中的速度开关应用中,这些设备特别适用于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥接电路,并提供额外的安全裕度以防止意外的电压瞬变。

MTP36N06V所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MTP36N06V 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MTP36N06V价格参考¥23.235223,你可以下载 MTP36N06V中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MTP36N06V规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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