TMOS功率FET 32安培60伏特RDS(开启)=0.04欧姆
N沟道增强型硅栅
TMOSV是一种新技术,旨在实现约为标准MOSFET一半的导通电阻面积产品。这项新技术使我们现有的细胞密度增加了一倍多
50和60伏TMOS器件。正如我们的TMOSE–FET设计一样,TMOSV被设计为在雪崩和换向模式下承受高能量。设计用于低压、高压
在电源、转换器和电动机控制中的速度开关应用中,这些设备特别适用于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥接电路,并提供额外的安全裕度以防止意外的电压瞬变。
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50和60伏TMOS器件。正如我们的TMOSE–FET设计一样,TMOSV被设计为在雪崩和换向模式下承受高能量。设计用于低压、高压
在电源、转换器和电动机控制中的速度开关应用中,这些设备特别适用于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥接电路,并提供额外的安全裕度以防止意外的电压瞬变。
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...