该功率MOSFET被设计为在雪崩和换向模式下承受高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和PWM电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适用于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥式电路,并提供额外的安全余量
防止意外的电压瞬变。
MTP6P20E
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 最大功耗 75W (Tc)
- 场效应管类型 P-通道
- 供应商设备包装 TO-220
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 750 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@3A,10V
MTP6P20E 产品详情
MTP6P20E所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MTP6P20E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MTP6P20E价格参考¥2.390157,你可以下载 MTP6P20E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MTP6P20E规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...