9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB16NK65Z-S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB16NK65Z-S参考价格为25.782美元。STMicroelectronics STB16NK65Z-S封装/规格：MOSFET N-CH 650V 13A I2PAK。您可以下载STB16NK65Z-S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STB16NF06LT4是MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK，包括STripFET？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为45W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为345pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为16A（Tc），最大Id Vgs的Rds为90mOhm@8A，10V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4.5V，Pd功耗为45W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12.5 ns，上升时间为37ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为17S，信道模式是增强。
STB16NK60Z带有ST制造的用户指南。STB16NK 60Z采用SOT263封装，是IC芯片的一部分。
STB16NK65Z是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK。STB16NK 65Z有TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH650V 13B I2SPAK。
