9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP80NE03L-06，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP80NE03L-06参考价格$2.034。STMicroelectronics STP80NE03L-06封装/规格：MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB。您可以下载STP80NE03L-06英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP80N70F6是MOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作110 W Pd功率耗散，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件的下降时间为23 ns，上升时间为29 ns，Id连续漏极电流为96 a，Vds漏极-源极击穿电压为68 V，Rds漏极源极电阻为8 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为102ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为99nC。
STP80N70F4带有ST制造的用户指南。STP80N50F4采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
STP80NE03L是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 80A TO220。STP80NE03L以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 80A-TO220。
