这种非常高电压的N沟道功率MOSFET采用MDmesh K5技术设计,基于创新的专有垂直结构。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低。
特色
- 行业最慢的RDS(on)xarea
- 行业最佳绩效指标(FoM)
- 超低门电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 136.31137 | 136.31137 |
10+ | 125.28044 | 1252.80441 |
100+ | 105.80862 | 10580.86290 |
500+ | 103.27144 | 51635.72050 |
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这种非常高电压的N沟道功率MOSFET采用MDmesh K5技术设计,基于创新的专有垂直结构。其结果是,对于需要高功率密度和高效率的应用,导通电阻和超低栅极电荷显著降低。
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