9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP8NK85Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP8NK85Z价格参考4.938美元。STMicroelectronics STP8NK85Z封装/规格：MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB。您可以下载STP8NK85Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP8NK100Z是MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为160W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为2180pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.85 Ohm@3.15A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为102nC@10V，Pd功耗为160 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为19ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为6.5A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为59ns，典型导通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为73nC，并且前向跨导Min为7S，并且信道模式为增强。
STP8NK80Z是MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为48 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为1.5欧姆，Qg栅极电荷为46 nC，Pd功耗为140 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为6.2 A，正向跨导最小值为5.2 S，下降时间为28 ns，配置为单一，信道模式为增强。
STP8NK80ZFP是MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了28 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如5.2 S，Id连续漏电流设计为6.2 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-220-3封装盒，封装为管，Pd功耗为30 W，Qg栅极电荷为46 nC，Rds漏极-源极电阻为1.5欧姆，上升时间为30 ns，该系列为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.071959 oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为30V。
