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PSMN1R9-40PLQ是MOSFET N沟道40 V 1.7 mOhm MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.211644 oz单位重量的工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供349 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为119 ns，上升时间为118 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为150 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为195ns，典型接通延迟时间为95ns，Qg栅极电荷为230nC。
PSMN2R0-25MLDX，带有NEX制造的用户指南。PSMN2R0-25MLDX在LFPAK33封装中提供，是IC芯片的一部分，N沟道25V 70A（Tc）74W（Tc）表面安装LFPAK3，Trans MOSFET N-CH 25V 70B 8引脚LFPAK EP T/R。
PSMN2R0-30，带有NXP制造的电路图。PSMN2R0-30在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN2R0-30BL，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN2R0-30BL在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
