9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS6PF30L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS6PF30L参考价格$6.238。STMicroelectronics STS6PF30L封装/规格：MOSFET P-CH 30V 6A 8SO。您可以下载STS6PF30L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS6P3LLH6带有引脚细节，包括P沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SO-8以及Si技术，该器件也可用作1信道数信道。此外，该配置是单一的，该器件提供2.7 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs的栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-源极电阻为30mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为12nC，沟道模式为增强。
STS6NF20V是MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.002998盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为27 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件的上升时间为33纳秒，漏极电阻Rds为30毫欧，Pd功耗为2.5瓦，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为10 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
STS6N20，电路图由SAMHOP制造。STS6N20采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
