9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STQ3NK50ZR-AP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STQ3NK50ZR-AP参考价格为3.17美元。STMicroelectronics STQ3NK50ZR-AP封装/规格：MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3。您可以下载STQ3NK50ZR-AP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STQ2NK60ZR-AP是MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007760盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于TO-92-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有45W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为400 mA，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
STQ3N45K3-AP是MOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH3，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于450 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.007760盎司，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及N沟道MDmesh系列，该器件也可以用作3.2欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为6 nC，该器件提供2.5 W Pd功耗，该器件具有一个弹药包装，包装盒为TO-92-3，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1.8 a。
STQ-3016是IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP，包括88mA电流源，它们设计为与调制器功能一起工作，数据表注释中显示了用于2.5GHz~4GHz的LO频率，提供了-153dBm/Hz等噪声本底特性，输出功率设计为-12dBm，以及2dBm P1dB，该设备也可作为16-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）暴露衬垫包装盒使用。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备提供2.5GHz~4GHz射频频率，该设备具有3GHz测试频率，电压供应为4.75V ~5.25V。
STQ2NK60Z带有ST制造的EDA/CAD型号。STQ2NK60 Z可提供TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成型引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92。
