9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP24NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP24NM65N参考价格$19.032。STMicroelectronics STP24NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB。您可以下载STP24NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP24NF10是MOSFET N-CH 100V 26A TO-220，包括STripFET？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为85W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为870pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为26A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@12A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为41nC@10V，Pd功耗为85 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为45ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为55mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为60ns，正向跨导最小值为10S，信道模式是增强。
STP24NM60N是MOSFET N-CH 600V 17A TO220，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，具有0.011640 oz等单位重量特性，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为N沟道MDmesh，器件的上升时间为16.5 ns，器件的漏极-源极电阻为168 mOhms，Qg栅极电荷为46 nC，Pd功耗为120 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为17 a，下降时间为37ns。
STP24NM60FP，带有ST制造的电路图。STP24MM60FP采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
