这些来自International Rectifier的P沟道MOSFET采用先进的处理技术,以实现每硅面积极低的导通电阻。这一优点为设计者提供了一种用于电池和负载管理应用的极其高效的设备。
● 超低导通电阻
● P沟道MOSFET
● 表面贴装
● 提供磁带和卷轴
● 低栅极电荷
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这些来自International Rectifier的P沟道MOSFET采用先进的处理技术,以实现每硅面积极低的导通电阻。这一优点为设计者提供了一种用于电池和负载管理应用的极其高效的设备。
● 超低导通电阻
● P沟道MOSFET
● 表面贴装
● 提供磁带和卷轴
● 低栅极电荷
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。