9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF21NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF21NM50N价格参考1.344美元。STMicroelectronics STF21NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP。您可以下载STF21NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF21N90K5是MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP，包括SuperMESH5？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为40W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为900V，输入电容Cis-Vds为1645pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为18.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为299 mOhm@9A，10V，Vgs最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为43nC@10V，Pd功耗为40 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为18.5A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds漏极源极电阻为299mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为43nC。
STF21N65M5是MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FP，包括25 V Vgs栅极-源极电压，设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该设备也可以用作MDmesh M5系列。此外，Rds漏极-源极电阻为150 mOhm，器件提供50 nC Qg栅极电荷，器件具有30 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为17 A。
STF20NM65N是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP。STF20MM65N可提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 15A TO-220FP、N沟道650V 15A（Tc）30W（Tc）通孔TO-220FP。
