9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP19NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP19NM65N价格参考2.536美元。STMicroelectronics STP19NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB。您可以下载STP19NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP19NF20是MOSFET N-CH 200V 15A TO-220，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有90 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为15 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为160mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为11.5ns，沟道模式为增强型。
STP19NM50N是MOSFET N-Ch 500V 14A MOSFET Mdmesh II电源，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.011640 oz，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有串联的N沟道MDmesh，上升时间为16ns，Rds漏极-源极电阻为250mOhm，Qg栅极电荷为34nC，Pd功耗为110W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为14A，下降时间为17ns。
STP19NF20R带有由ST制造的电路图，是IC芯片的一部分。
