9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW21NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW21NM50N参考价格$4.952。STMicroelectronics STW21NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3。您可以下载STW21NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW21N150K5，带针脚细节，包括MDmesh？K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于to-247-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为446W，漏极到源极电压Vdss为1500V（1.5kV），输入电容Cis-Vds为3145pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为14A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为900 mOhm@7A，10V，Vgs最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为89nC@10V，Pd功耗为446 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为1.5kV，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V至5V，Rds导通漏极-漏极电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为134ns，典型接通延迟时间为34ns，Qg栅极电荷为89nC，信道模式为增强。
STW21N90K5是MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及MDmesh K5系列，该器件也可以用作299毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为43 nC，该器件提供250 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-247-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为18.5 a。
STW21N65M5是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 17A TO-247。STW21N65 M5以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH650V 17A-TO-247、N沟道650V 17A（Tc）125W（Tc。
